관련 통계자료 다운로드 슬롯2 예상 시장 점유율
사진; 하이닉스 슬롯2 1기가비트 제품(상), 삼성전자 4기가바이트 모듈 제품.
올해를 기점으로 폭발적인 성장세를 보일 것으로 기대를 모으고 있는 더블데이터레이트(슬롯)2 SD램을 둘러싼 세계 주요 메모리업체들의 대용량화 경쟁에 불이 붙었다. 이에 따라 이르면 올 하반기 슬롯2 1기가비트(Gb)시대가 열린 것으로 전망된다.
특히 1Gb 슬롯2는 32개만 사용하면 현재 발표된 모듈 가운데 최고 집적도를 가지고 있는 4GB 모듈을 구성할 수 있어 침실장면에서의 고효율성은 물론 PC 및 서버, 워크스테이션의 고성능화를 실현할 수 있다.
슬롯2 D램은 기존의 주력제품인 슬롯 D램에 비해 속도가 수배에 달해 고용량화에 용이, 올해 세계 D램 시장의 8% 이상으로 비중이 높아지고 내년에는 35%까지 올라가 주력제품으로 부상할 것으로 전망되고 있는 유망 메모리다.
슬롯2 범용화에 결정적인 역할을 할 인텔은 지원 칩세트를 오는 6월부터 출시할 계획이다. 이를 계기로 삼성전자·하이닉스반도체·마이크론테크놀로지 등은 최근 1Gb급 슬롯2 개발을 완료하고 이르면 올 하반기부터 본격 양산에 들어갈 계획인 것으로 알려졌다.
1Gb 슬롯2 시장에서 가장 발빠른 행보를 보이고 있는 업체는 미국 마이크론테크놀로지다. 이 회사는 올해 초 1Gb 슬롯2 SD램을 개발하고 인텔 납품을 위한 인텔인증을 획득한 상태다. 또 최근 업계 최초로 4GB 슬롯2 레지스터드 듀얼 인라인 메모리 모듈(RDIMM) ‘PC2-4300’을 미국 인텔에 샘플 출하했다. 이 모듈은 240핀 슬롯2 RDIMM의 FBGA집적기술을 사용해 36개의 1Gb 슬롯2로 컴포넌트를 구성한 것이다.
하이닉스반도체도 최근 슬롯2 1Gb 제품을 개발했으며 인텔인증 획득을 위해 인텔 측에 샘플을 보내 놓은 상태다. 이미 샘플에 대한 테스트는 완료된 상태로 이르면 이번 주말(현지시각) 인증을 획득할 것으로 알려졌다. 하이닉스측은 슬롯2를 지원하는 칩세트가 인텔의 사정으로 6월로 미뤄짐에 따라 단품 및 모듈 생산 일정을 조정하고 있지만 올 하반기 생산을 시작해 내년 중에는 본격 양산에 들어간다는 기본 계획을 세워 놓고 있다.
512Mb 슬롯2를 업계 최초로 생산한 삼성전자는 1Gb 제품에서는 마이크론과 하이닉스에 비해서는 다소 늦어지고 있지만 조만간 인텔에 자사가 개발한 슬롯2 1Gb 샘플을 보내 인텔 인증 획득을 추진할 예정이다. 삼성전자 관계자는 “사실 현재 삼성의 기술력으로 슬롯2 1Gb와 4GB급 모듈을 생산하는 것은 어렵지 않지만 슬롯2 512Mb 제품이 올해 본격적으로 개화되고 있는 만큼 양산을 서두르지는 않을 것”이라며 “하지만 생산 자체는 올 하반기부터 시작한다는 것이 기본 방침이며 내년부터는 본격 양산에 들어갈 것”이라고 말했다.
삼성전자는 1Gb 슬롯 SD램 시장에서는 업계 최초로 4GB 모듈을 출시하면서 메모리 Gb시대를 선도해 왔다.
한편 시장조사기관인 IDC에 따르면 세계 D램시장에서 슬롯2의 비중은 올해 8%, 내년 35%, 2006년에는 66%까지 늘어나, 내년부터 D램 시장의 주력 제품으로 자리잡을 전망이다.
<심규호기자 khsim@etnews.co.kr>