삼성전자가 미래 반도체 로직 바카라 꽁 머니은 게이트올어라운드(GAA) 바카라 꽁 머니을 기반으로 선진 공정이 융합돼 발전할 것이라고 전망했다. SK하이닉스는 메모리 반도체가 D램을 수직으로 쌓아 올린 고대역폭메모리(HBM) 이후 PIM(Processing-In-Memory)과 CIM(Computing-In-Memory)으로 진화할 것이라고 예상했다.
김동원 삼성전자 펠로우는 9일 서울 서초구 엘타워에서 열린 과학바카라 꽁 머니정보통신부 ‘반도체 미래바카라 꽁 머니 로드맵’ 발표회에서 “반도체 로직 소자 바카라 꽁 머니은 평판(Planar) FET에서 3차원(3D) 입체구조 칩 설계와 공정인 핀펫(FinFET)과 게이트올어라운드(GAA)로 계속 진화했다”며 “미래에는 GAA 바카라 꽁 머니을 기반으로 2차원(2D)·3D 바카라 꽁 머니이 접목, 진화를 거듭할 것”이라고 밝혔다.
평판 FET나 핀펫과 달리 GAA가 반도체 미세화 한계 극복을 위한 바카라 꽁 머니 우위를 유지, 3나노미터(㎚) 이하 초미세 회로에 도입될 트랜지스터 구조로 역할을 지속할 것이라는 관측이다. 삼성전자는 지난해 3㎚ 공정에서 세계 최초로 GAA 바카라 꽁 머니 ‘멀티 브릿지 채널(MBC)’ FET을 통해 국내외 기업과 바카라 꽁 머니 리더십과 경쟁력 격차 확대에 시동을 걸었다.
GAA 바카라 꽁 머니 발전은 삼성 파운드리와 TSMC 간 바카라 꽁 머니 격차 최소화를 궁극적 목표로 한다. 삼성 파운드리는 3㎚ 공정에서 GAA로 TSMC 파운드리와 바카라 꽁 머니격차를 최소화하고 2㎚ 공정에서 TSMC 바카라 꽁 머니과 동급 바카라 꽁 머니을 유지하는 것에서 시작해 TSMC를 앞서는 것을 목표로 하고 있다.
삼성전자는 내년 3㎚ 2세대, 2025년 GAA 기반 2㎚ 공정을 적용한 제품을 양산할 계획이다. 3㎚ 2세대 테스트 칩을 제조하는 고객사는 이미 확보했다. 김 펠로우는 “GAA는 확장성을 가진 바카라 꽁 머니로 저전력 하이 퍼포먼스를 지원한다”며 “삼성 파운드리가 미래 반도체 산업의 가이드가 될 것”이라고 말했다.
이어 “GAA는 스케일링 등을 통해 발전을 거듭할 것”이라며 “향후 본딩 바카라 꽁 머니과 층별 접합 바카라 꽁 머니, 비용 합리화 등이 GAA 바카라 꽁 머니 발전의 챌린지가 될 것”이라고 덧붙였다.
SK하이닉스는 HBM에서 PIM과 CIM으로 메모리 반도체 바카라 꽁 머니 발전할 것이라고 예상했다. 똑똑한 인공지능(AI)이 나오고 자율주행차 등에서 수집·처리해야 할 데이터가 기하급수적으로 늘어나면 반도체 바카라 꽁 머니 진화가 불가피하다는 결론이다.
최익수 SK하이닉스 부사장(펠로우)은 “인공지능(AI)과 5세대(5G) 이동통신 발전에 따라 메모리 반도체 역할이 확장될 것”이라며 “자율주행차는 그래픽처리장치(GPU) 등 각종 반도체를 필요로 하고 수집되는 정보는 메모리로 저장, 자동차별 시간당 40TB 데이터가 저장되고 자율주행차가 지나가면 메모리 반도체가 지나간다고 얘기할 정도로 메모리 반도체 활용이 늘어날 것”이라고 전했다.
최 부사장은 메모리 반도체 수요가 확대될수록 스케일링 등 바카라 꽁 머니 한계가 발생할 것이라고 예측했다. 한계 극복을 위해 바카라 꽁 머니은 진화할 수밖에 없고 실제 패터닝 바카라 꽁 머니이 발전하면서 미세 패터닝을 위한 극자외선(EUV) 장비 도입이 본격화됐고 하이 NA EUV 장비도 대기하고 있다고 부연했다.
미세 패터닝이 한계에 다다를 것을 대비, 새로운 스택 바카라 꽁 머니이 나타나고 대안으로 3D D램 바카라 꽁 머니도 개발되고 있다. 낸드 플래시의 경우 최근 238단 양산에 이어 300단 이상 바카라 꽁 머니 개발도 추진하고 있다. 셀 면적을 줄이되 전력 손실을 최소화하는 바카라 꽁 머니 개발도 진행한다.
최 부사장은 “메모리 반도체는 PIM·CIM 등 혁신 바카라 꽁 머니을 계속 확대, 경쟁력을 유지해야 한다”며 “SK하이닉스는 바카라 꽁 머니 개발은 물론, ESG(환경·사회·투명) 경영 실현을 추진하고 소재·부품·장비 기업과 동반성장하는 경영을 위한 협력을 진행하고 있다”고 밝혔다.
박종진 기자 truth@etnews.com