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    삼성전자·하이닉스반도체의 슬롯사이트 업 메모리 양산시점

    카테고리 : 정보통신 지면 : 25면 개제일자 : 2007.12.05 관련기사 :삼성·하이닉스 불꽃튀는 슬롯사이트 업 양산경쟁

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  • 삼성·하이닉스 불꽃튀는 슬롯사이트 업 양산경쟁

    삼성전자와 하이닉스반도체 간 낸드 플래시 메모리 슬롯사이트 업이 불꽃을 튀기고 있다.

     하이닉스 반도체는 내년 초에 48 나노 미세공정으로 16Gb 슬롯사이트 업를 양산하겠다고 4일 밝혔다.

     하이닉스가 내년 초에 양산할 제품은 삼성전자가 이미 생산중인 16Gb 슬롯사이트 업보다 미세공정에서는 반 발짝 정도 앞선다. 삼성전자는 지난 4월부터 51 나노공정으로 16Gb 슬롯사이트 업를 양산해왔다.

     하이닉스의 이 같은 발표는 같은 16Gb 용량이긴 하지만 40 나노대 공정....

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